高温SiC器件的特性及发展

本文作者：王俊
湖南大学电气与信息工程学院教授、博士生导师，IEEE高级会员。王俊教授近十年主要从事功率半导体器件及其在电力电子系统中应用的研究，研制了世界首个碳化硅ETO晶闸管，在国际高水平刊物和会议上已发表论文七十余篇，获2项美国发明专利和1项日本发明专利，5项中国专利。主要研究方向包括：1）硅基功率MOSFET和IGBT的研究，碳化硅（SiC）功率器件的研究，3）氮化镓（GaN）器件的研究，4)电力电子器件的智能驱动，5）高功率密度变换器的研究。近年来，主持参与了国家自然科学基金面上项目、国家“863”项目和企业横向合作项目等。

本文章转载自微信公众号宽禁带半导体技术创新联盟，不作商业用途，仅作参考。