在半导体材料中，点缺陷常常会影响器件的性能和可靠性，点缺陷包含空位、络合物以及中间物等。点缺陷在外延材料生长中似乎不可避免，我们总想把点缺陷消灭掉，其实很难。如果，我们不能完全消灭掉Ga空位以及N空位等点缺陷，那么我们可不可以利用这些点缺陷呢？
接下笔者要介绍的就是关于利用点缺陷工程，通过引入Ga空位，实现GaN材料中的位错倾角和湮灭，从而达到高质量的外延层。
引入Ga空位采用的方法为：富氮条件，高V/III比（约为4534），Ga的过饱和度大大降低。在生长过程中，表面多余的N原子会阻止进入的TMG的附着位点，Ga晶格点留空，致使Ga空位大量形成。
采用正电子湮灭光谱（PAS），观察Ga空位的引入情况。
(a)空位工程样品的生长示意图。通过调整TMGa和氨的流速（V/III摩尔比）来引入Ga空位。(b) S参数作为正电子能量的函数的氮化镓层。增加的S参数表明，采用空位工程可以加入更多的Ga空位。
TEM测试显示，引入Ga空位在AlGaN/GaN界面附近的位错呈大角度倾斜，甚至水平倾斜，大部分的位错在AlGaN/GaN界面上湮灭，只留下少数的位错传播到上氮化镓层。而常规样品位错较多，位错以小角度倾斜，且往上延伸。
同时，引入Ga空位的GaN材料，XRD测试其半宽也明显较小。
