GaN功率半导体的2023预测

GaN Systems 对 2023 年做出了预测，涵盖功率半导体的供应链，以增加数据中心和电动汽车的可持续性法规。我们正处于功率 GaN 技术的

化合物半导体将变得无处不在

化合物半导体基板市场受到功率和光子学应用的强烈推动，到 2027 年将达到接近24亿美元，复合年增长率为 16%。在过去的几十年中，化合物

下一代晶体管，有何不同？

经过近十年和五个主要节点以及大量半节点之后，半导体制造业将开始从finFET过渡到3nm技术节点的全栅堆叠纳米片晶体管架构。相对于finFET，

碳化硅器件制造那些事儿（二）

离子注入是一种向半导体材料内加入一定数量和种类的杂质，以改变其电学性能的方法，可以精确控制掺入的杂质数量和分布情况。一为什么采用离

碳化硅将绿色替代品拉入良性循环

推动电动汽车市场的绿色意识和法规推动了电池技术和碳化硅设计的创新，以改变绿色能源的产生。现在，对可再生能源扩张的需求至关重要。日益

技术进展 | 碳化硅单晶薄膜制备技术及集成光子应用

导读近日，美国物理联合会(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《应用物理评论》（Applied Physics Reviews）在线发表了上

向单芯片的GaN器件进军

几十年来，硅基功率晶体管（MOSFET、场效应晶体管）构成了功率转换系统的支柱，可将交流电 (AC) 转换为直流电 (DC)，反之亦然，或将直流

MOS与IGBT在新能源车、光伏等领域需求

1 下半年MOS与IGBT在新能源车、光伏等领域需求继续维持高增长趋势，其中新能源车进入年终消费旺季，欧洲在俄乌冲突影响下对光伏需求不减，均带动功率器件需求Q4持续旺盛；消费类需求目前仍疲软，但Q4下滑趋势有望放缓，

AI芯片市场飞速发展

据TrendForce表示，在全球数字化、智能化的浪潮下，物联网设备不断扩增，例如工业机器人、AGV AMR、智能型手机、智能音箱、智能摄影机等，

第三代半导体加速爆发，SiC、GaN产业化进度如何？

新冠疫情爆发后，第三代半导体的发展进入到关键期。根据业内的主流观点，在过去一两年里SiC和GaN已经开启商业化。今年年初，笔者对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的竞争格局、发展趋势以及供应商情况做过解读，本文则再谈谈SiC

下一代功率电子材料--AlGaN

到目前为止，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率电子器件晶体管的半导体材料的研发已经取得进展，并且已经开始实用化。通常由轻元素构成的半导体的介电击穿电阻较高，但是如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al并制成Al

氧化镓打开芯片大战新篇章

三家公司作为氧化镓衬底、晶圆和器件的开发商和制造商脱颖而出，分别是美国的Kyma Technologies和日本的FLOSFIA和Novel Crystal Technology。让我们深入了解这些早期领导者。