SiC产业的新趋势：垂直整合是其中之一

韩国SK集团通过收购，正是成为又一个控制了SiC全链条的公司。而根据咨询分析公司Yole的报道，这已经成为了SiC产业的一个重要趋势。Yole 的

Sic离子注入和高温退火工艺及监控

在传统的Si功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来讲，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布

家电领域碳化硅应用市场

碳化硅与空调行业碰撞出的火花碳化硅作为综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，目前已经在5G通信、PD快充、新能源

超高压碳化硅 N 沟道 IGBT 器件的设计与制造

碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料的代表之一，其禁带宽度达到 3 26 eV，是硅（Si）材料的 3 倍，临界击穿电场强度是 Si 材料的

什么是化合物半导体？

什么是氮化镓？氮化镓何以占据C位？氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）

SiC产品和Si产品的两点比较

SiC肖特基势垒二极管的特征，及与Si二极管的比较

英特尔将在德国建新芯片工厂

2月28日消息，据报道，一位知情人士透露，英特尔已经选择了德国城市马格德堡作为其新的投资额为数十亿美元的欧洲芯片工厂的地址，该公司

英诺赛科为手持移动设备提供GaN HEMT

中国GaN公司英诺赛科日前宣布推出INN40W08，这是一款适用于笔记本电脑和手机等移动设备的40V双向GaN-on-Si增强模式HEMT。INN40W08 HEMT是

氮化镓半导体材料研究与应用现状

电力电子、新能源、电动汽车、5G通讯、高速轨道列车、能源互联网和智能工业等领域的兴起，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统

中国的麒麟“心”

在美国用出口限制了华为获得先进制程芯片的渠道，华为没有选择坐以待毙，而是通过成立华为哈勃投资公司，加大对中国本土芯片半导体的投资布

中国GaN公司英诺赛科走向国际

制造硅基氮化镓电源解决方案的中国公司英诺赛科宣布正式启动其在美国和欧洲的国际业务。英诺赛科总部位于中国苏州，现在准备通过在加

突发！新华三半导体、国科微等12家中企被美列入实体清单

11月25日消息，美国商务部工业和安全局于当地时间11月24日修订实体清单。据美国商务部官网显示，美国商务部工业与安全局宣布将27个实