半导体图案化工艺流程之：刻蚀简析（1）

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻（Photo）工艺的下一步，用于去除光

晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介

经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨（Back Grinding）开始后端处理。背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减

碳化硅MOSFET性能的优势与技术的难点

引言碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，

6英寸4H-SiC晶体冷却过程中籽晶与籽晶托粘附收缩分离方法

介绍碳化硅是最具吸引力和发展前景的宽带隙半导体材料之一。商用SiC功率器件最近用生长在直径6英寸的n型4H-SiC衬底上的SiC外延层制成。然而

激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用

碳化硅是一种性能优异的第三代半导体材料，具有光学性能良好、化学惰性大、物理特性优良的特点，包括带隙宽、击穿电压高、热导率高和耐高温

缺陷密度对4H-SiC衬底力学特性的影响

介绍结构扩展和点状缺陷的存在不仅会从电气角度影响SiC器件的性能，还会从机械角度影响SiC器件的性能。众所周知，SiC缺陷不利于电气可靠性

用钌钝化氮化镓

来自印度的一个团队正在率先使用钌溶液来钝化GaN表面。有效的钝化对于优化GaN器件的性能至关重要，因为它消除了氧杂质和

离子注入介绍

离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面，这个现象叫做溅射；而当离子束射到

干法蚀刻（dry etch）与湿法蚀刻（wet etch）原理(4)

氮化硅刻蚀氮化硅普遍应用于形成隔离的工艺中。图5显示了以双载流子晶体管为主的IC晶体管制造，采用了单晶硅和氮化硅刻蚀的隔离工艺。图5绝

干法蚀刻（dry etch）与湿法蚀刻（wet etch）原理(3）

图2湿法刻蚀轮廓示意图图3 酒杯状接触窗孔硅刻蚀单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。硝酸（HNO3

干法蚀刻（dry etch）与湿法蚀刻（wet etch）原理（2）

化学蚀刻主要用含碳氟气体(CxFr)，基本原理是F自由基与Si结合生成气态的SiF4碳氟气体(CF4，CHF3，C3F:等)在化学蚀刻过程中生成的不饱和

干法蚀刻（dry etch）与湿法蚀刻（wet etch）原理（1））

1 干法刻蚀 干法刻蚀主要是指等离子体刻蚀，等离子体刻蚀主要采用两种放电模式，即电容耦合放电和电感耦合放电。在电容耦合放电模