什么是晶圆级封装技术？

传统上，IC芯片与外部的电气连接是用金属引线以键合的方式把芯片上的I／O连至封装载体并经封装引脚来实现。随着IC芯片特征尺寸的缩小和集成规模的扩大，I／O的间距不断减小、数量不断增多。当I／O间距缩小到70 um以下时，

SiC MOSFET特性分析及应用

碳化硅 MOSFET 因其材料的特殊性，适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅 MOSFET 的驱动电路，通过软件 PSpice 对碳化硅 MOSFET 以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究，并设计 RC 缓冲电路解决开关的尖峰

应用领域广阔致碳化硅市场热度飙升

碳化硅功率器件替代优势明显，在高压高功率领域性能强劲。功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一，作用是实现对电能的处理、转换和控制，主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。碳化硅功率器

碳化硅器件制造那些事儿

我们知道，在半导体领域里，单晶硅（Si）是全球应用最广泛、产量最大的半导体基础材料，目前90%以上的半导体产品都是使用硅基材料制造。随

碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势

碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光

开卷知新 | 王阳元：集成电路——社会信息化的“引擎”

信息时代，集成电路无处不在。大到航空航天、高铁船舶，小到手机电脑、智能手表，集成电路都是关键部件。甚至传统农业工业，也正在通过集成

埃米时代的芯片制造工艺路线图：新结构、新材料、新工艺

据日经报道，imec 首席执行官 Luc Van den hove在日前举办的年度盛会FUTURE SUMMITS 2022的演讲中表示，结合多种技术可，我们可以扩

MiniLED行业专题报告：背光Mini LED开启高速成长期

需求端：硬件创业主要发力点，Mini LED切中市场风口Mini LED是指尺寸为50-200微米的LED芯片，Mini LED可用于背光及直显领域。Mini LED

SiC功率技术发展趋势及研发进展（下）

本文转载自微信公众号EDC电驱未来，不做商业用途，仅作新闻参考。

SiC功率技术发展趋势及研发进展（上）

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SiC MOSFET 短路保护技术综述（下）

3）电流传感器电流传感器广泛应用在电力设备电流测量中，如霍尔器件、罗氏线圈等，其原理简单且可靠性高，功率回路和测量回路具备电气隔离

SiC MOSFET 短路保护技术综述（上）

0 引言经过半个世纪的发展，传统硅（Silicon, Si）功率半导体器件性能已达到极限，难以满足新能源装备高效、高功率密度等新的发展需求。