硅的替代材料，新突破

二维半导体有机会激发电子设备功能的重大进步，取代硅基芯片。然而，许多问题继续阻碍这些设备的发展。一个主要问题是载流子迁移率，即电子

5G 网络中的氮化镓半导体

随着 5G 技术的发展，人们正在争夺更快、更可靠的通信网络，对支持这种尖端网络的先进材料的需求量很大。亚硝酸镓半导体通过将 5G 技术

碳化硅功率器件封装关键技术(1)

摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅

氮化镓外延为何不生长在氮化镓衬底上？一个字：难！

第3代半导体材料拥有硅材料无法比拟的材料性能优势，从决定器件性能的禁带宽度、热导率、击穿电场等特性来看，第3代半导体均比硅材料优秀，

芯片设计行业的新趋势

芯片设计随着时间推移正在变得越来越复杂是业界人士的共识，但是究竟复杂体现在哪些方面，并且随着复杂度提升，还有哪些没有解决的问题，这

小小芯片，引致全球争夺

芯片制造原本是企业之间的较量，但在多种因素影响下，现在已经发展成为全球多国的技术军备竞赛和地缘政治之战。制造半导体是一项异常复杂、

硅的继任者，二维材料有了新进展

根据摩尔定律，自 1960 年代以来，微芯片上的晶体管数量每年都翻一番。但预计这一轨迹很快就会趋于平稳，因为一旦用这种材料制成的设备尺

第三代半导体材料之氮化镓衬底

ZSW团队的薄膜光伏串联技术可以沉积在塑料或钢膜上，以制造轻质、灵活的组件作者：《化合物半导体》主编 陆敏2英寸高品质氮化镓衬底价格就

3C-SiC有望PK单晶金刚石，成为高导热材料的选择

日前，自然通讯（Nature Communications）期刊发表了伊利诺伊大学香槟分校材料科学与工程学院科研人员发布的重要发现——立方碳化硅(3C-Si

Yole | 汽车芯片数量将超1000，碳化硅增长更快

市场研究公司Yole表示，尽管轻型汽车市场相对平稳，但半导体芯片市场预计将从2021的440亿美元增长到2027年的807亿美元，复合年增长率为11 1

光纤法珀式SiC耐高温压力传感器的制造与测试

高温极端环境下的压力原位直接测量在航空发动机工作状态监测、石油油井环境探测等高温高压领域存在迫切需求，耐高温压力传感器技术已经成为

半导体知识科普— 半导体材料的分类

01第一代半导体材料第一代半导体材料主要以硅，锗为主。上一期和大家简单提及过，硅元素在地球上贮存非常丰富，占了地球整体的26 4%，超过