点缺陷及在半导体材料中作用

3 引入空位后应力的变化传统的降低GaN层位错密度的策略是引入三维（3D）生长模式的各种方式，如外延横向过度生长（ELOG）和SiNx层。这里提

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在半导体材料中，点缺陷常常会影响器件的性能和可靠性，点缺陷包含空位、络合物以及中间物等。点缺陷在外延材料生长中似乎不可避免，我们总

一文了解分子束外延(MBE)技术（2）

生长模式的不同受生长热力学和动力学过程控制。所以，在MBE生长过程中控制生长温度和生长速率是控制外延材料质量的关键。在InAs GaSb超晶格

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一、什么是外延？很多人，尤其是小朋友喜欢吃生日蛋糕，蛋糕在制作时先蒸好蛋糕的底材形状，在半导体中称为衬底。再在蛋糕上刷一层奶油，奶

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1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行？

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